型号: BSB053N03LP G
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
标准包装： 5,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： OptiMOS??
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 17A（Ta），71A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 5.3 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 29nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 2700pF @ 15V
功率 - 最大值： 42W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 3-WDSON
供应商器件封装： MG-WDSON-2，CanPAK M?
其它名称： SP000597830
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：曾先生
Q Q:
联系人：张小姐，邱先生
电话：13392858489
Q Q:
联系人：罗L
电话：13342900085
Q Q:
联系人：李生
电话：13602549709
Q Q:
