型号: BSB028N06NN3GXUMA1
功能描述: 60V, 90A, 2.8MOHM, CANPAK
制造商: Infineon Technologies
系列： OptiMOS™
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 22A（Ta），90A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 4V @ 102µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 143nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 12000pF @ 30V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 2.2W（Ta），78W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 2.8 毫欧 @ 30A，10V
工作温度： -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： MG-WDSON-2
封装形式Package： WDSON
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 60V
连续漏极电流ID： 22A
漏源电压（Vdss）： 60V
供应商器件封装： MG-WDSON-2，CanPAK M™
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：詹嘉捷
电话：13286466676
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：赵刚
电话：13572203776
Q Q:
联系人：苏明水
电话：13809710366
Q Q:
联系人：苏先生
电话：15361668939
Q Q:
