型号: BSC016N06NSATMA1
功能描述: MOSFET N-Ch 60V 100A DSON-8 OptiMOS
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 100 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 95 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 139 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 1.27 mm
长度: 5.9 mm
系列: OptiMOS 5
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.15 mm
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 70 S
下降时间: 9 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 9 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 35 ns
典型接通延迟时间: 19 ns
零件号别名: BSC016N06NS BSC16N6NSXT SP000924882
单位重量: 200 mg
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