型号:  BSC032NE2LSATMA1

功能描述:  Infineon OptiMOS 系列 N沟道 MOSFET BSC032NE2LSATMA1, 84 A, Vds=25 V, 8引脚 TDSON封装

制造商:  Infineon Technologies

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  22A（Ta），84A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  16nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  1200pF @ 12V

功率耗散（最大值）：  2.8W（Ta），78W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  3.2 毫欧 @ 30A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

供应商器件封装：  PG-TDSON-8

封装/外壳：  PG-TDSON-8

通道类型：  N

最大连续漏极电流：  84 A

最大漏源电压：  25 V

最大漏源电阻值：  4.8 m0hms

最大栅阈值电压：  2V

最小栅阈值电压：  1.2V

最大栅源电压：  +20 V

封装类型：  TDSON

晶体管配置：  单

引脚数目：  8

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  37 W

典型接通延迟时间：  3.3 ns

典型关断延迟时间：  15 ns

典型输入电容值@Vds：  1200 pF @ 12 V

典型栅极电荷@Vgs：  7.7 nC @ 4.5 V

系列：  OptiMOS

每片芯片元件数目：  1

最低工作温度：  -55 °C

宽度：  6.35mm

长度：  5.35mm

高度：  1.1mm

正向跨导：  93S

正向二极管电压：  1V

尺寸：  5.35 x 6.35 x 1.1mm

最高工作温度：  +150 °C

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs