型号: BSC037N025SG
功能描述: MOSFET OptiMOS2 PWR-MOSFET N-CH
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
商标: Infineon Technologies
Id-连续漏极电流: 100 A
Vds-漏源极击穿电压: 25 V
Rds On-漏源导通电阻: 6 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.8 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
通道模式: Enhancement
配置: Single Quad Drain Triple Source
下降时间: 5 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 6 ns
工厂包装数量: 5000
典型关闭延迟时间: 27 ns
典型接通延迟时间: 6.9 ns
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：杨丹妮
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Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
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联系人：肖瑶，树平
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