型号:  BSC046N02KS G

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  4100pF @ 10V

Vgs（最大值）：  ±12V

功率耗散（最大值）：  2.8W（Ta），48W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  4.6 毫欧 @ 50A，4.5V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  PG-TDSON-8

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss）：  20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  19A（Ta），80A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  2.5V，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  1.2V @ 110µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  27.6nC @ 4.5V

安装风格：  SMD/SMT

通道数量：  1Channel

晶体管极性：  N-Channel

Id-连续漏极电流：  19A

Rds On-漏源导通电阻：  4.6mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：  12V

最小工作温度：  -55C

最大工作温度：  +150C

配置：  SingleQuadDrainTripleSource

Pd-功率耗散：  2.8W

通道模式：  Enhancement

商标名：  OptiMOS

封装：  CutTape

高度：  1.27mm

长度：  5.9mm

系列：  OptiMOS2

晶体管类型：  1N-Channel

宽度：  5.15mm

下降时间：  6ns

上升时间：  117ns

典型关闭延迟时间：  34ns

典型接通延迟时间：  15ns

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs