型号:  BSC080P03LSGAUMA1

功能描述:  P-Channel 30 V 8 mOhm OptiMOS™3 Power-Transistor - PG-TDSON-8

制造商:  Infineon Technologies

系列：  OptiMOS™

FET类型：  P 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  16A（Ta），30A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  2.2V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  122.4nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  6140pF @ 15V

Vgs（最大值）：  ±25V

功率耗散（最大值）：  2.5W（Ta），89W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  8 毫欧 @ 30A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  PG-TDSON-8

封装形式Package：  TDSON

极性Polarity：  P-CH

漏源极击穿电压VDSS：  30V

连续漏极电流ID：  16A

漏源电压（Vdss）：  30V

供应商器件封装：  PG-TDSON-8

无铅情况/RoHs：  否