型号: BSC084P03NS3EG
功能描述: MOSFET P-Ch -30V -78.6A TDSON-8 OptiMOS P3
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
Id-连续漏极电流: - 78.6 A
Vds-漏源极击穿电压: - 30 V
Rds On-漏源导通电阻: 8.4 mOhms
晶体管极性: P-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 25 V
Qg-栅极电荷: 43.4 nC
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 69 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
封装: Reel
商标: Infineon Technologies
配置: Single Quad Drain Triple Source
下降时间: 8.1 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 133.5 nS
系列: OptiMOS P3
工厂包装数量: 5000
商标名: OptiMOS
典型关闭延迟时间: 33.3 nS
零件号别名: BSC084P03NS3EGATMA1 BSC084P03NS3EGXT SP000473012
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