型号: BSC097N06NST
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：48A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3.3V @ 14?A 漏源导通电阻：14.6mΩ @ 10A, 6V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W 类型：N沟道
制造商: Infineon(英飞凌)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 48A
栅源极阈值电压: 3.3V @ 14?A
漏源导通电阻: 14.6mΩ @ 10A, 6V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 3W
类型: N沟道
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：夏永
电话：139-26583967
Q Q:
联系人：朱先生
电话：18576250386
Q Q:
联系人：张先生
Q Q:
