型号:  BSC100N10NSFG

功能描述:   MOSFET N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 2

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

商标:  Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:  90 A

Vds-漏源极击穿电压:  100 V

Rds On-漏源导通电阻:  10 mOhms

晶体管极性:  N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :  20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:  4 V

Qg-栅极电荷:  44 nC

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  156 W

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TDSON-8

封装:  Reel

通道模式:  Enhancement

配置:  Single Quad Drain Triple Source

下降时间:  7 ns

正向跨导 - 最小值:  61 S, 31 S

最小工作温度:  - 55 C

上升时间:  23 ns

系列:  OptiMOS 2

工厂包装数量:  5000

商标名:  OptiMOS

典型关闭延迟时间:  26 ns

典型接通延迟时间:  18 ns

零件号别名:  BSC100N10NSFGATMA1 BSC100N10NSFGXT SP000379595