型号:  BSC130P03LSGAUMA1

功能描述:  Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSC130P03LSGAUMA1, 22.5 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装

制造商:  Infineon Technologies

FET 类型：  P 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  12A（Ta），22.5A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  2.2V @ 150µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  73.1nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±25V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  3670pF @ 15V

功率耗散（最大值）：  2.5W（Ta），69W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  13 毫欧 @ 22.5A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

供应商器件封装：  PG-TDSON-8

封装/外壳：  PG-TDSON-8

通道类型：  P

最大连续漏极电流：  22.5 A

最大漏源电压：  30 V

最大漏源电阻值：  0.013 0hms

最大栅源电压：  -25 V、+25 V

封装类型：  TDSON

晶体管配置：  单

引脚数目：  8

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  69 W

最高工作温度：  +150 °C

长度：  6.1mm

最低工作温度：  -55 °C

高度：  1.1mm

每片芯片元件数目：  1

正向跨导：  39S

正向二极管电压：  1.2V

系列：  OptiMOS P

尺寸：  6.1 x 5.35 x 1.1mm

晶体管材料：  Si

典型栅极电荷@Vgs：  54.9 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：  2760 pF @ 15 V

典型关断延迟时间：  43.5 ns

典型接通延迟时间：  11.4 ns

宽度：  5.35mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs