型号: BSC196N10NSG
功能描述: MOSFET N-Ch 100V 45A TDSON-8 OptiMOS 2
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
商标: Infineon Technologies
Id-连续漏极电流: 8.5 A
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Rds On-漏源导通电阻: 19.6 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 78 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
封装: Reel
通道模式: Enhancement
配置: Single Quad Drain Triple Source
下降时间: 5 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 22 ns
系列: OptiMOS 2
工厂包装数量: 5000
商标名: OptiMOS
典型关闭延迟时间: 18 ns
典型接通延迟时间: 16 ns
零件号别名: BSC196N10NSGATMA1 BSC196N10NSGXT SP000379604
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