型号: BSC200P03LS G
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
数据列表： BSC200P03LS G
标准包装： 5,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： OptiMOS??
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 9.9A（Ta），12.5A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 20 毫欧 @ 12.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.2V @ 100µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 48.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 2430pF @ 15V
功率 - 最大值： 2.5W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-PowerTDFN
供应商器件封装： PG-TDSON-8（5.15x6.15）
其它名称： BSC200P03LS G-NDBSC200P03LS GINTRBSC200P03LSGAUMA1SP000359668
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈
电话：13603072128
Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：李小姐
电话：15302619915
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：林宏发
电话：18926565161
Q Q:
联系人：危小姐
电话：18820193420
Q Q:
联系人：蒋敏姝
电话：13715227394
Q Q:
