型号: BSD223P H6327
功能描述: MOSFET P-Ch
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-363-6
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 390 mA
Rds On-漏源导通电阻: 700 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 12 V
Qg-栅极电荷: - 620 pC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 250 mW
配置: Dual
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 0.9 mm
长度: 2 mm
系列: BSD223
晶体管类型: 2 P-Channel
宽度: 1.25 mm
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值: 350 mS
开发套件: -
下降时间: 3.2 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 5 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 5.1 ns
典型接通延迟时间: 3.8 ns
零件号别名: BSD223PH6327XT BSD223PH6327XTSA1 SP000924074
单位重量: 7.500 mg
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