型号:  BSD235CH6327XT

功能描述:  MOSFET N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-363-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  950 mA, 530 mA

Rds On-漏源导通电阻:  266 mOhms, 745 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  700 mV, 1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  12 V

Qg-栅极电荷:  340 pC, - 400 pC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  500 mW (1/2 W)

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

资格:  AEC-Q101

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.9 mm

长度:  2 mm

系列:  BSD235

晶体管类型:  1 N-Channel, 1 P-Channel

宽度:  1.25 mm

商标:  Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:  2 S, 700 mS

下降时间:  1.2 ns, 3.2 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  3.6 ns, 5 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  4.5 ns, 5.1 ns

典型接通延迟时间:  3.8 ns, 3.8 ns

零件号别名:  BSD235C BSD235CH6327XTSA1 H6327 SP000917610

单位重量:  7.500 mg