型号:  BSD235NH6327XTSA1

功能描述:  Infineon OptiMOS 2 系列 双 Si N沟道 MOSFET BSD235NH6327XTSA1, 950 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363 (SC-88)封装

制造商:  Infineon Technologies

FET 类型：  2 个 N 沟道（双）

FET 功能：  逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：  20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  950mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  350 毫欧 @ 950mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  1.2V @ 1.6µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  0.32nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  63pF @ 10V

功率 - 最大值：  500mW

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  PG-SOT363-6

供应商器件封装：  PG-SOT363-6

通道类型：  N

最大连续漏极电流：  950 mA

最大漏源电压：  20 V

最大漏源电阻值：  600 m0hms

最大栅阈值电压：  1.2V

最小栅阈值电压：  0.7V

最大栅源电压：  -12 V、+12 V

封装类型：  SOT-363 (SC-88)

引脚数目：  6

晶体管配置：  隔离式

通道模式：  增强

类别：  小信号

最大功率耗散：  500 mW

高度：  0.8mm

尺寸：  2 x 1.25 x 0.8mm

每片芯片元件数目：  2

系列：  OptiMOS 2

晶体管材料：  Si

典型栅极电荷@Vgs：  0.32 nC @ 4.5 V

典型输入电容值@Vds：  49 pF @ 10 V

典型关断延迟时间：  4.5 ns

典型接通延迟时间：  3.8 ns

宽度：  1.25mm

最低工作温度：  -55 °C

最高工作温度：  +150 °C

长度：  2mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs