型号: BSD314SPE H6327
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.5A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2V @ 6.3?A 漏源导通电阻：230mΩ @ 1.2A, 4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：P沟道
制造商: Infineon(英飞凌)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 1.5A
栅源极阈值电压: 2V @ 6.3?A
漏源导通电阻: 230mΩ @ 1.2A, 4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 500mW
类型: P沟道
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