型号: BSD235N L6327
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
数据列表： BSD235N
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 阵列
系列： OptiMOS??
包装： 带卷（TR）
FET 类型： 2 个 N 沟道（双）
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 950mA
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 350 毫欧 @ 950mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1.2V @ 1.6µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 0.32nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 63pF @ 10V
功率 - 最大值： 500mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 6-VSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装： PG-SOT363-6
其它名称： BSD235N L6327-NDBSD235N L6327INTRSP000442458
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