型号: BSD816SNH6327XTSA1
功能描述:
制造商: Infineon Technologies
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 1.4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.8V,2.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 0.95V @ 3.7µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.6nC @ 2.5V
Vgs(最大值): ±8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 180pF @ 10V
功率耗散(最大值): 500mW(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 160 毫欧 @ 1.4A,2.5V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: PG-SOT363-6
封装/外壳: PG-SOT363-6
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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