型号: BSH112,235
功能描述: NXP Semiconductors/分立半导体产品
制造商: NXP Semiconductors
标准包装： 10,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： TrenchMOS??
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 300mA（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： -
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 40pF @ 10V
功率 - 最大值： 830mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装： SOT-23（TO-236AB）
其它名称： 568-1768-2934056035235BSH112 /T3
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：龚先生
电话：13510177715
Q Q:
联系人：朱女士，王生
电话：13316425118
Q Q:
联系人：董伟
电话：13813937013
Q Q:
