型号: BSH205G2R
功能描述: MOSFET 20V P-channel Trench MOSFET
制造商: Nexperia
制造商: Nexperia
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 2.3 A
Rds On-漏源导通电阻: 170 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 450 mV
Vgs - 栅极-源极电压: 4.5 V
Qg-栅极电荷: 3.7 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 890 mW
配置: Single
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
晶体管类型: 1 P-Channel Trench MOSFET
商标: Nexperia
下降时间: 16 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 14 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 43 ns
典型接通延迟时间: 5 ns
单位重量: 8 mg
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：小柯
电话：13332931905
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：朱先生，黄小姐，寒小姐
电话：13266695626
Q Q:
联系人：徐吉刚
电话：13426409278
Q Q:
联系人：张捷
Q Q:
