型号: BSL802SN L6327
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
数据列表: BSL802SN
标准包装: 3,000
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 单
系列: OptiMOS??
包装: 带卷(TR)
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 7.5A(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 22 毫欧 @ 7.5A,2.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 750mV @ 30µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 4.7nC @ 2.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 1347pF @ 10V
功率 - 最大值: 2W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-74,SOT-457
供应商器件封装: PG-TSOP6-6
其它名称: BSL802SN L6327-NDBSL802SN L6327INTRBSL802SNL6327BSL802SNL6327HTSA1SP000442478
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