型号: BSM100GB120DN2HOSA1
功能描述: IGBT MOD 1200V 150A 800W
制造商: Infineon Technologies
包装: 托盘
系列: -
零件状态: 不適用於新設計
IGBT 类型: -
配置: 半桥
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 150A
功率 - 最大值: 800W
不同Vge，Ic 时的Vce（on）: 3V @ 15V，100A
电流 - 集电极截止（最大值）: 2mA
不同Vce 时的输入电容（Cies）: 6.5nF @ 25V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 无
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
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