型号: BSM10GD120DN2
功能描述: IGBT 模块 1200V 10A FL BRIDGE
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 否
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.7 V
在25 C的连续集电极电流: 15 A
栅极—射极漏泄电流: 120 nA
Pd-功率耗散: 80 W
封装 / 箱体: EconoPACK 2
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
高度: 17 mm
长度: 107.5 mm
宽度: 45.5 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: BSM10GD120DN2BOSA1 SP000100367
单位重量: 180 g
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：祝
Q Q:
联系人：陈先生
Q Q:
联系人：潘红燕
电话：13760375256
Q Q:
