型号: BSM150GB120DN2_E3166
功能描述:
制造商: Infineon
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
在25 C的连续集电极电流: 210 A
最大工作温度: + 150 C
封装 / 箱体: 62MM
封装: Reel
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
最小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
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