型号:  BSM180D12P3C007

功能描述:  分立半导体模块 Half Bridge Module SiC UMOSFET & SBD

制造商:  ROHM Semiconductor

制造商:  ROHM Semiconductor

产品种类:  分立半导体模块

RoHS:  是

产品:  Power Semiconductor Modules

类型:  SiC Power MOSFET

Vgs - 栅极-源极电压:  - 4 V, 22 V

安装风格:  Screw Mount

封装 / 箱体:  Module

最小工作温度:  - 40 C

最大工作温度:  + 150 C

系列:  BSMx

封装:  Tray

配置:  Half-Bridge

商标:  ROHM Semiconductor

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

典型延迟时间:  50 ns

下降时间:  50 ns

Id-连续漏极电流:  180 A

Pd-功率耗散:  880 W

产品类型:  Discrete Semiconductor Modules

上升时间:  70 ns

工厂包装数量:  12

子类别:  Discrete Semiconductor Modules

典型关闭延迟时间:  165 ns

典型接通延迟时间:  50 ns

Vds-漏源极击穿电压:  1200 V

Vgs th-栅源极阈值电压:  2.7 V

零件号别名:  BSM180D12P3C007