型号: BSM20GD60DLCE3224
功能描述: IGBT 模块 N-CH 600V 32A
制造商: Infineon Technologies
产品： IGBT Silicon Modules
配置： Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO： 600 V
集电极—射极饱和电压： 1.95 V
在25 C的连续集电极电流： 32 A
栅极—射极漏泄电流： 400 nA
功率耗散： 125 W
最大工作温度： + 125 C
封装 / 箱体： EconoPACK 2A
封装： Reel
商标： Infineon Technologies
栅极/发射极最大电压： +/- 20 V
最小工作温度： - 40 C
安装风格： Screw
工厂包装数量： 10
ROHS： 含铅
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