型号: BSM250D17P2E004
功能描述: HALF BRIDGE MODULE CONSISTING OF
制造商: Rohm Semiconductor
包装: 盒
系列: -
零件状态: 有源
FET 类型: 2 个 N 通道（半桥）
FET 功能: 碳化硅 （SiC）
漏源电压（Vdss）: 1700V（1.7kV）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 250A（Tc）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: -
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 66mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: -
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 30000pF @ 10V
功率 - 最大值: 1800W（Tc）
工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
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