型号: BSM250D17P2E004
功能描述: HALF BRIDGE MODULE CONSISTING OF
制造商: Rohm Semiconductor
包装: 盒
系列: -
零件状态: 有源
FET 类型: 2 个 N 通道(半桥)
FET 功能: 碳化硅 (SiC)
漏源电压(Vdss): 1700V(1.7kV)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 250A(Tc)
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值): -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 66mA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值): -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 30000pF @ 10V
功率 - 最大值: 1800W(Tc)
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
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