型号: BSM25GD120DLCE3224
功能描述: IGBT 模块 N-CH 1.2KV 50A
制造商: Infineon Technologies
产品： IGBT Silicon Modules
配置： Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO： 1200 V
集电极—射极饱和电压： 2.1 V
在25 C的连续集电极电流： 50 A
栅极—射极漏泄电流： 400 nA
功率耗散： 200 W
最大工作温度： + 125 C
封装 / 箱体： EconoPACK 2A
封装： Reel
商标： Infineon Technologies
栅极/发射极最大电压： +/- 20 V
最小工作温度： - 40 C
安装风格： Screw
工厂包装数量： 10
ROHS： 含铅
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