型号: BSM25GD120DN2
功能描述: IGBT 模块 1200V 25A FL BRIDGE
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 是
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.5 V
在25 C的连续集电极电流: 35 A
栅极—射极漏泄电流: 180 nA
Pd-功率耗散: 200 W
封装 / 箱体: EconoPACK 2A
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
高度: 17 mm
长度: 107.5 mm
宽度: 45 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: BSM25GD120DN2BOSA1 SP000100370
单位重量: 180 g
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