型号: BSM25GP120
功能描述: IGBT 模块 1200V 25A PIM
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 是
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Array 7
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1600 V
集电极—射极饱和电压: 2.55 V
在25 C的连续集电极电流: 45 A
栅极—射极漏泄电流: 300 nA
Pd-功率耗散: 230 W
封装 / 箱体: EconoPIM2
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
封装: Tray
高度: 17 mm
长度: 107.5 mm
宽度: 45 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: BSM25GP120BOSA1 SP000095940
单位重量: 180 g
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：胡小姐
电话：13724343501
Q Q:
联系人：吴子军
电话：17512067569
Q Q:
联系人：朱和西
电话：15814080130
Q Q:
联系人：牟德林
电话：15318757735
Q Q:
