型号: BSM25GB120DN2
功能描述: IGBT 模块 1200V 25A DUAL
制造商: Infineon Technologies
产品种类： IGBT 模块
产品： IGBT Silicon Modules
配置： Half Bridge Module
集电极—发射极最大电压 VCEO： 1200 V
集电极—射极饱和电压： 2.5 V
在25 C的连续集电极电流： 38 A
栅极—射极漏泄电流： 180 nA
功率耗散： 200 W
最大工作温度： + 150 C
封装 / 箱体： Half Bridge1
商标： Infineon Technologies
栅极/发射极最大电压： 20 V
安装风格： Screw
工厂包装数量： 500
ROHS： 含铅
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