型号: BSM35GD120DN2
功能描述: IGBT 模块 1200V 35A 3-PHASE
制造商: Infineon Technologies
产品种类： IGBT 模块
产品： IGBT Silicon Modules
配置： Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO： 1200 V
集电极—射极饱和电压： 2.7 V
在25 C的连续集电极电流： 50 A
栅极—射极漏泄电流： 150 nA
功率耗散： 280 W
最大工作温度： + 150 C
封装 / 箱体： EconoPACK 2
商标： Infineon Technologies
栅极/发射极最大电压： +/- 20 V
最小工作温度： - 40 C
安装风格： Screw
工厂包装数量： 500
ROHS： 含铅
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