型号: BSM50GAL120DN2
功能描述: IGBT 模块 1200V 50A CHOPPER
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 是
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Half Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.5 V
在25 C的连续集电极电流: 78 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 400 W
封装 / 箱体: Half Bridge GAL 1
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
封装: Tray
高度: 30.5 mm
长度: 94 mm
宽度: 34 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极最大电压: 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 10
子类别: IGBTs
零件号别名: BSM50GAL120DN2HOSA1 SP000101727
单位重量: 250 g
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：刘文科
电话：17315471130
Q Q:
联系人：叶先生
电话：13923469428
Q Q:
联系人：徐帅
电话：15112332225
Q Q:
