型号: BSM50GD60DLCE3226
功能描述:
制造商: Infineon
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 2.2 V
在25 C的连续集电极电流: 70 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
功率耗散: 250 W
最大工作温度: + 125 C
封装 / 箱体: EconoPACK 2A
封装: Reel
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
最小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：郭智贤
电话：13590256842
Q Q:
联系人：胡双能
电话：13828773769
Q Q:
联系人：钟小姐，王先生
电话：13418830030
Q Q:
联系人：小林
电话：15766460736
Q Q:
联系人：林小姐
电话：13713988890
Q Q:
联系人：曹，林
电话：13352984345
Q Q:
联系人：宋鹏
电话：18712236688
Q Q:
联系人：吴小姐
电话：18718561290
Q Q:
联系人：谢
电话：13316830599
Q Q:
