型号: BSM50GD60DLCE3226
功能描述:
制造商: Infineon
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 2.2 V
在25 C的连续集电极电流: 70 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
功率耗散: 250 W
最大工作温度: + 125 C
封装 / 箱体: EconoPACK 2A
封装: Reel
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
最小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：柯小姐
电话：13510157626
Q Q:
联系人：张先生
电话：17602007745
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：廖小姐
电话：13310877445
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13534200224
Q Q:
联系人：张小姐
电话：13357276588
Q Q:
联系人：傅
电话：13514015668
Q Q:
联系人：朱
电话：15219483667
Q Q:
联系人：罗丽
电话：15602911070
Q Q:
