型号: BSM75GAR120DN2HOSA1
功能描述: IGBT MOD 1200V 30A 235W
制造商: Infineon Technologies
包装: 托盘
系列: -
零件状态: 不適用於新設計
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 单路
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 30A
功率 - 最大值: 235W
不同Vge，Ic 时的Vce（on）: 2.2V @ 15V，15A
电流 - 集电极截止（最大值）: 400µA
不同Vce 时的输入电容（Cies）: 1nF @ 25V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 无
工作温度: -40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：傅小姐
电话：13310061703
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：宋先生
电话：18688959485
Q Q:
联系人：刘丹丽
电话：13808072722
Q Q:
联系人：张
电话：13266573387
Q Q:
