型号: BSM75GB120DN2HOSA1
功能描述: IGBT MOD 1200V 105A 625W
制造商: Infineon Technologies
包装: 托盘
系列: -
零件状态: 不適用於新設計
IGBT 类型: -
配置: 半桥
电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）: 105A
功率 - 最大值: 625W
不同Vge，Ic 时的Vce（on）: 3V @ 15V，75A
电流 - 集电极截止（最大值）: 1.5mA
不同Vce 时的输入电容（Cies）: 5.5nF @ 25V
输入: 标准
NTC 热敏电阻: 无
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：叶文财
电话：13528801884
Q Q:
联系人：杨小姐
电话：13828783931
Q Q:
联系人：蔡
电话：13410511380
Q Q:
