型号: BSO080P03NS3EGXUMA1
功能描述: Infineon OptiMOS 3 系列 Si P沟道 MOSFET BSO080P03NS3EGXUMA1, 14.8 A, Vds=30 V, 8引脚 DSO封装
制造商: Infineon Technologies
FET 类型: P 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 12A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 3.1V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 81nC @ 10V
Vgs(最大值): ±25V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 6750pF @ 15V
功率耗散(最大值): 1.6W(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 8 毫欧 @ 14.8A,10V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: PG-DSO-8
封装/外壳: PG-DSO-8
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs: 10V
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds: 15V
通道类型: P
最大连续漏极电流: 14.8 A
最大漏源电压: 30 V
最大漏源电阻值: 11 m0hms
最大栅阈值电压: 1.9V
最小栅阈值电压: 3.1V
最大栅源电压: -25 V、+25 V
封装类型: DSO
引脚数目: 8
晶体管配置: 单
通道模式: 增强
类别: 功率 MOSFET
最大功率耗散: 2.5 W
最低工作温度: -55 °C
最高工作温度: +150 °C
高度: 1.65mm
正向跨导: 44S
系列: OptiMOS 3
正向二极管电压: 1.1V
晶体管材料: Si
典型栅极电荷@Vgs: 61 nC
典型输入电容值@Vds: 4500 pF@ -15 V
典型关断延迟时间: 64 ns
典型接通延迟时间: 16 ns
宽度: 4mm
尺寸: 5 x 4 x 1.65mm
每片芯片元件数目: 1
长度: 5mm
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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