型号:  BSO080P03NS3EGXUMA1

功能描述:  Infineon OptiMOS 3 系列 Si P沟道 MOSFET BSO080P03NS3EGXUMA1, 14.8 A, Vds=30 V, 8引脚 DSO封装

制造商:  Infineon Technologies

FET 类型：  P 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  12A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  6V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  3.1V @ 150µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  81nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±25V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  6750pF @ 15V

功率耗散（最大值）：  1.6W（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  8 毫欧 @ 14.8A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

供应商器件封装：  PG-DSO-8

封装/外壳：  PG-DSO-8

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：  10V

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：  15V

通道类型：  P

最大连续漏极电流：  14.8 A

最大漏源电压：  30 V

最大漏源电阻值：  11 m0hms

最大栅阈值电压：  1.9V

最小栅阈值电压：  3.1V

最大栅源电压：  -25 V、+25 V

封装类型：  DSO

引脚数目：  8

晶体管配置：  单

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  2.5 W

最低工作温度：  -55 °C

最高工作温度：  +150 °C

高度：  1.65mm

正向跨导：  44S

系列：  OptiMOS 3

正向二极管电压：  1.1V

晶体管材料：  Si

典型栅极电荷@Vgs：  61 nC

典型输入电容值@Vds：  4500 pF@ -15 V

典型关断延迟时间：  64 ns

典型接通延迟时间：  16 ns

宽度：  4mm

尺寸：  5 x 4 x 1.65mm

每片芯片元件数目：  1

长度：  5mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs