型号:  BSO303P H

功能描述:  MOSFET P-Ch -30V -8.2A DSO-8 OptiMOS P

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SO-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  8.2 A

Rds On-漏源导通电阻:  21 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  - 36 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  2 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

商标名:  OptiMOS

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1.75 mm

长度:  4.9 mm

系列:  OptiMOS P

晶体管类型:  2 P-Channel

宽度:  3.9 mm

商标:  Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:  27 S

下降时间:  39 ns

湿度敏感性:  Yes

产品类型:  MOSFET

上升时间:  13 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  55 ns

典型接通延迟时间:  11 ns

零件号别名:  BSO303PHXUMA1 BSO33PHXT SP000613854

单位重量:  540 mg