型号:  BSO303SPT

功能描述:   Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SO T/R

制造商:  Infineon Technologies AG

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C：  8.9A

Drain to Source Voltage (Vdss)：  30V

FET Feature：  Logic Level Gate

FET Type：  MOSFET P-Channel, Metal Oxide

Gate Charge (Qg) @ Vgs：  69nC @ 10V

Input Capacitance (Ciss) @ Vds：  1754pF @ 25V

Mounting Type：  Surface Mount

Package / Case：  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Power - Max：  2.35W

Rds On (Max) @ Id, Vgs：  21 mOhm @ 8.9A, 10V

Supplier Device Package：  8-SO

Vgs(th) (Max) @ Id：  2V @ 100µA

最大门源电压：  ±20

安装：  Surface Mount

包装宽度：  4

PCB：  8

最大功率耗散：  2350

最大漏源电压：  30

欧盟RoHS指令：  Supplier Unconfirmed

最大漏源电阻：  21@10V

每个芯片的元件数：  1

最低工作温度：  -55

供应商封装形式：  SO

标准包装名称：  SOIC

最高工作温度：  150

渠道类型：  P

包装长度：  5

引脚数：  8

通道模式：  Enhancement

包装高度：  1.5

最大连续漏极电流：  8.9

封装：  Tape and Reel

铅形状：  Gull-wing