型号:  BSO612CVG

功能描述:   MOSFET N and P-Ch 60V 3A, -2A DSO-8

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

商标:  Infineon Technologies

Id-连续漏极电流:  3 A

Vds-漏源极击穿电压:  60 V

Rds On-漏源导通电阻:  120 mOhms

晶体管极性:  N-Channel, P-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :  20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:  4 V

Qg-栅极电荷:  3 nC

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  2 W

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  DSO-8

封装:  Reel

通道模式:  Enhancement

配置:  Dual Dual Drain

下降时间:  30 ns, 95 ns

正向跨导 - 最小值:  1.2 S

最小工作温度:  - 55 C

上升时间:  35 ns, 60 ns

系列:  BSO612

工厂包装数量:  2500

商标名:  SIPMOS

典型关闭延迟时间:  25 ns, 145 ns

典型接通延迟时间:  12 ns, 15 ns

零件号别名:  BSO612CVGHUMA1 BSO612CVGXT SP000216307