型号: BSO615CT
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
标准包装： 2,500
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 阵列
系列： SIPMOS®
包装： 带卷（TR）
FET 类型： N 和 P 沟道
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 3.1A，2A
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 110 毫欧 @ 3.1A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2V @ 20µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 22.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 380pF @ 25V
功率 - 最大值： 2W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装： PG-DSO-8
其它名称： BSO615CXTINTR
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：赵小姐
电话：13049883113
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：彭传凤
电话：15889626113
Q Q:
联系人：陈之平
电话：88600487
Q Q:
联系人：黄先生
电话：13923864315
Q Q:
