型号:  BSP030.115

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 30V 10A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

制造商:  nxp semiconductors

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  1,000

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  30V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  10A

Rds（最大）@ ID，VGS：  30 mOhm @ 5A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  2.8V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  40nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  770pF @ 24V

功率 - 最大：  8.3W

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装：  SC-73

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  4SOT-223

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  30 V

最大连续漏极电流：  10 A

RDS -于：  30@10V mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型导通延迟时间：  8 ns

典型上升时间：  10 ns

典型关闭延迟时间：  18 ns

典型下降时间：  24 ns

工作温度：  -65 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

标准包装：  Cut Tape

最大门源电压：  ±20

包装宽度：  3.7(Max)

PCB：  3

最大功率耗散：  8300

最大漏源电压：  30

欧盟RoHS指令：  Compliant

最大漏源电阻：  30@10V

每个芯片的元件数：  1

最低工作温度：  -65

供应商封装形式：  SC-73

标准包装名称：  SOT-223

最高工作温度：  150

渠道类型：  N

包装长度：  6.7(Max)

引脚数：  4

包装高度：  1.7(Max)

最大连续漏极电流：  10

封装：  Tape and Reel

标签：  Tab

铅形状：  Gull-wing

FET特点：  Logic Level Gate

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  10A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  2.8V @ 1mA

漏极至源极电压（Vdss）：  30V

供应商设备封装：  SC-73

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  30 mOhm @ 5A, 10V

FET型：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  8.3W

输入电容（Ciss ） @ VDS：  770pF @ 24V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  40nC @ 10V

封装/外壳：  TO-261-4, TO-261AA

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

其他名称：  568-6218-1

类别：  Power MOSFET

配置：  Dual Drain, Single

外形尺寸：  6.7 x 3.7 x 1.7mm

身高：  1.7mm

长度：  6.7mm

最大漏源电阻：  0.03 Ω

最高工作温度：  +150 °C

最大功率耗散：  8.3 W

最低工作温度：  -65 °C

包装类型：  SC-73

典型栅极电荷@ VGS：  24 nC V @ 10

典型输入电容@ VDS：  770 pF V @ 24

宽度：  3.7mm

连续漏极电流：  10 A

栅源电压（最大值）：  �20 V

功率耗散：  8.3 W

漏源导通电阻：  0.03 ohm

工作温度范围：  -65C to 150C

极性：  N

类型：  Power MOSFET

元件数：  1

工作温度分类：  Military

漏源导通电压：  30 V

弧度硬化：  No

晶体管极性：  :N Channel

Continuous Drain Current Id：  :5A

Drain Source Voltage Vds：  :30V

On Resistance Rds(on)：  :30mohm

Rds(on) Test Voltage Vgs：  :10V