型号:  BSP123 L6327

功能描述:  Infineon Technologies/分立半导体产品

制造商:  Infineon Technologies

数据列表：  BSP123

标准包装：  1,000

类别：  分立半导体产品

家庭：  FET - 单

系列：  SIPMOS®

包装：  带卷（TR）

FET 类型：  MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：  逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：  100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  370mA（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：  6 欧姆 @ 370mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  1.8V @ 50µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：  2.4nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：  70pF @ 25V

功率 - 最大值：  1.79W

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装：  PG-SOT223-4

其它名称：  BSP123BSP123 L6327-NDBSP123INTRBSP123L6327BSP123L6327-NDBSP123L6327TRBSP123L6327TR-NDBSP123L6327XTSP000089202