型号: BSP125H6327
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120mA 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：2.3V @ 94uA 漏源导通电阻：45Ω @ 120mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.8W 类型：N沟道
制造商: Infineon(英飞凌)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 600V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 120mA
栅源极阈值电压: 2.3V @ 94uA
漏源导通电阻: 45Ω @ 120mA,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 1.8W
类型: N沟道
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