型号: BSP372NH6327
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.8A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：1.8V @ 218uA 漏源导通电阻：230mΩ @ 1.8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.8W 类型：N沟道
制造商: Infineon(英飞凌)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 1.8A
栅源极阈值电压: 1.8V @ 218uA
漏源导通电阻: 230mΩ @ 1.8A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 1.8W
类型: N沟道
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：13725570869
Q Q:
联系人：詹嘉捷
电话：13286466676
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：李师哲
电话：13048971103
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：13590203753
Q Q:
联系人：刘涛
电话：15389085817
Q Q:
