型号: BSP89 L6327
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
标准包装： 1,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： SIPMOS®
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 240V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 350mA（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 6 欧姆 @ 350mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1.8V @ 108µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 6.4nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 140pF @ 25V
功率 - 最大值： 1.8W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装： PG-SOT223-4
其它名称： BSP89 L6327-NDBSP89L6327HTSA1BSP89L6327INTRBSP89L6327XTSP000089216
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：曾先生
Q Q:
联系人：文小姐，米小姐，朱小姐
电话：13590238352
Q Q:
联系人：李先生
电话：18373518225
Q Q:
联系人：黄先生
电话：13537570405
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：13544084106
Q Q:
