型号: BSS119 E7978
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： SIPMOS®
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 170mA（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 6 欧姆 @ 170mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.3V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 2.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 78pF @ 25V
功率 - 最大值： 360mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装： PG-SOT23-3
其它名称： BSS119E7978XTSP000011163
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：陈泽辉
电话：13360071553
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：陈远红
电话：15999652886
Q Q:
联系人：周晴兰
电话：18610463179
Q Q:
联系人：郭先生
Q Q:
