型号:  BSS138LT1G

功能描述:  MOSFET

制造商:  ON Semiconductor

系列：  BSS

单位重量：  1.438 g

高度：  0.94 mm

长度：  2.9 mm

类型：  MOSFET

宽度：  1.3 mm

最大工作温度：  + 150 C

最小工作温度：  - 55 C

安装风格：  SMD/SMT

配置：  Single

Vgs-栅极-源极电压：  20 V

Pd-功率耗散：  225 mW

通道数量：  1 Channel

Id-连续漏极电流：  200 mA

Vds-漏源极击穿电压：  50 V

晶体管类型：  1 N-Channel

RdsOn-漏源导通电阻：  3.5 Ohms

通道模式：  Enhancement

晶体管极性：  N-Channel

典型关闭延迟时间：  20 ns

正向跨导-最小值：  0.1 S

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  200mA（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  1.5V @ 1mA

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  50pF @ 25V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  225mW（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  3.5 欧姆 @ 200mA，5V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

封装形式Package：  SOT-23

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  50V

连续漏极电流ID：  0.2A

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs