型号: BSS159N E6327
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： SIPMOS®
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 耗尽模式
漏源极电压（Vdss）： 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 230mA（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 3.5 欧姆 @ 160mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.4V @ 26µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 2.9nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 44pF @ 25V
功率 - 最大值： 360mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装： PG-SOT23-3
其它名称： BSS159NE6327XTSP000014638
联系人：王小姐，刘先生
电话：19147724283
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：刘先生,李小姐
电话：13510175077
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：赵先生
电话：13798575788
Q Q:
联系人：江先生
电话：15814016862
Q Q:
联系人：王林
电话：15111275550
Q Q:
